光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對光敏感的混合液體。由光引發(fā)劑、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑組成。光刻膠是一種圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，可利用光照反應(yīng)后溶解度不同將掩膜版圖形轉(zhuǎn)移至襯底上。目前光刻膠被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的精細圖形線路加工制作上。是電子制造領(lǐng)域的關(guān)鍵材料之一。

　　按光波長分，光刻膠可分為紫外（300-450nm）光刻膠、深紫外（160-280nm）光刻膠、極紫外（EUV，13.5nm）光刻膠、電子束光刻膠、離子束光刻膠、X射線光刻膠等，通常來說，在使用工藝方法一致的情況下，波長越短，加工分辨率越佳。

　　按照應(yīng)用領(lǐng)域的不同，光刻膠又可分為印刷電路板（PCB）用光刻膠、液晶顯示（LCD）用光刻膠、半導(dǎo)體用光刻膠和其他用途光刻膠。其中PCB光刻膠技術(shù)壁壘相對其他兩類較低，而半導(dǎo)體光刻膠代表著光刻膠最先進的技術(shù)水平。

　　按化學(xué)結(jié)構(gòu)分類；光刻膠可分為光聚合型，光分解型，光交聯(lián)型和化學(xué)放大型。光聚合型光刻膠采用烯類單體，在光作用下產(chǎn)生自由基，進一步引發(fā)單體聚合，最后生成聚合物。光分解型光刻膠，采用含有重氮醌類化合物(DQN)材料作為感光劑，其經(jīng)光照后,發(fā)生光分解反應(yīng)，可以制成正性光刻膠；光交聯(lián)型光刻膠采用聚乙烯醇月桂酸酯等作為光敏材料，在光的作用下，形成一種不溶性的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，而起到抗蝕作用，可以制成負性光刻膠。在半導(dǎo)體集成電路光刻技術(shù)開始使用深紫外（DUV）光源以后，化學(xué)放大（CAR）技術(shù)逐漸成為行業(yè)應(yīng)用的主流。在化學(xué)放大光刻膠技術(shù)中，樹脂是具有化學(xué)基團保護因而難以溶解的聚乙烯?；瘜W(xué)放大光刻膠使用光致酸劑（PAG）作為光引發(fā)劑。當(dāng)光刻膠曝光后，曝光區(qū)域的光致酸劑（PAG）將會產(chǎn)生一種酸。這種酸在后熱烘培工序期間作為催化劑，將會移除樹脂的保護基團從而使得樹脂變得易于溶解?；瘜W(xué)放大光刻膠曝光速遞是DQN光刻膠的10倍，對深紫外光源具有良好的光學(xué)敏感性，同時具有高對比度，對高分辨率等優(yōu)點。

　　光刻膠是集成電路制造的重要材料：光刻膠的質(zhì)量和性能是影響集成電路性能、成品率及可靠性的關(guān)鍵因素，光刻工藝成本約為整個芯片制造工藝的35%，并且耗費時間約為整個芯片工藝的40-50%，光刻膠成本約占IC制造材料總成本的4%，市場巨大。據(jù)第三方機構(gòu)智研咨詢統(tǒng)計，2019年全球光刻膠市場規(guī)模預(yù)計近90億美元，自 2010年至今CAGR約5.4%。預(yù)計該市場未來3年仍將以年均5%的速度增長，至2022年全球光刻膠市場規(guī)模將超過100億美元。光刻膠行業(yè)具有極高的行業(yè)壁壘，因此在全球范圍其行業(yè)都呈現(xiàn)寡頭壟斷的局面。光刻膠行業(yè)長年被日本和美國專業(yè)公司壟斷。目前前五大廠商就占據(jù)了全球光刻膠市場 87%的份額，行業(yè)集中度高。其中，日本 JSR、東京應(yīng)化、日本信越與富士電子材料市占率加和達到72%。并且高分辨率的 KrF 和 ArF 半導(dǎo)體光刻膠核心技術(shù)亦基本被日本和美國企業(yè)所壟斷，產(chǎn)品絕大多數(shù)出自日本和美國公司，如杜邦、JSR 株式會社、信越化學(xué)、東京應(yīng)化工業(yè)、Fujifilm，以及韓國東進等企業(yè)。整個光刻膠市場格局來看，日本是光刻膠行業(yè)的巨頭聚集地。目前中國大陸對于電子材料，特別是光刻膠方面對國外依賴較高。所以在半導(dǎo)體材料方面的國產(chǎn)代替是必然趨勢。